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HCT802TXV

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HCT802TXV参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
包装数量:1
包装形式:散装
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FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):90V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2A,1.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5 欧姆 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:70pF @ 25V
功率 - 最大:500mW
安装类型:表面贴装

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